Транзисторы из дисульфида молибдена сделают чипы втрое компактнее
AI Изображение создано с помощью ИИ и носит иллюстративный характер
Специалисты МФТИ впервые в России разработали технологию изготовления транзисторов из дисульфида молибдена. Такие элементы могут заменить кремниевые аналоги, которые почти достигли предела миниатюризации. По оценкам исследователей, новые микросхемы будут как минимум втрое меньше по размеру и в сотни раз экономичнее по энергопотреблению.
Проблемой при создании сверхтонких транзисторов было повреждение материала при напылении металлических контактов. Чтобы избежать этого, учёные сформировали изолирующую прослойку из диоксида титана методом атомно-слоевого осаждения. Такой подход позволил снизить эффективную толщину транзистора с 2 до 0,65 нанометра.
Разработка открывает возможности для вычислительных систем нового поколения, в том числе гибкой электроники. Технология атомно-слоевого осаждения уже используется в промышленности, что упрощает возможное внедрение. Однако практическая ценность будет зависеть от подтверждения заявленных параметров и возможности масштабирования. Созданные транзисторы совместимы с классическими компьютерными схемами.
